退火爐是一種工藝設備，主要用于半導體器件制造中加熱多個半導體晶片以影響其電性能。

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退火爐是節(jié)能型周期式作業(yè)爐，采用超節(jié)能結構，如纖維結構，節(jié)電60%，其骨架由各種型鋼焊接而成，爐體部分采用優(yōu)質耐火磚結構，以確保爐膛的密封性。
在半導體制造過程中，退火爐通過熱處理實現(xiàn)多種效果，如激活摻雜劑、將薄膜轉換成薄膜或將薄膜轉換成晶片襯底界面、使致密沉積的薄膜、改變生長的薄膜的狀態(tài)、修復注入的損傷、移動摻雜劑或將摻雜劑從一個薄膜轉移到另一個薄膜或從薄膜進入晶圓襯底等。
退火爐還可以集成到其他爐子處理步驟中，如氧化步驟，或者獨立處理。
退火爐的溫度控制范圍主要取決于其類型、應用領域以及處理的材料。
一般來說，退火爐的工作溫度范圍在200℃至1200℃之間。然而，不同的材料和工藝可能需要不同的溫度范圍。
例如，在鋼鐵加工行業(yè)中，網(wǎng)帶式退火爐通常在700℃-900℃的溫度下工作，以改善鋼材的鑄造結構和機械性能。
而在航空航天領域中，網(wǎng)帶式退火爐需要在更高的溫度下工作，可以達到1200℃以上，以處理高溫合金、鎢、鉬等材料。
同時，退火爐的溫度穩(wěn)定性和均勻性也至關重要，這可以減少熱處理過程中的不均勻變形和質量問題。
總之，退火爐的溫度控制范圍是一個相對寬泛的區(qū)間，具體范圍需要根據(jù)實際應用場景、處理材料以及工藝要求來確定。