退火爐是在半導體器件制造中使用的一種工藝，其包括加熱多個半導體晶片以影響其電性能。熱處理是針對不同的效果而設(shè)計的。可以加熱晶片以激活摻雜劑，將薄膜轉(zhuǎn)換成薄膜或?qū)⒈∧まD(zhuǎn)換成晶片襯底界面，使致密沉積的薄膜，改變生長的薄膜的狀態(tài)，修復注入的損傷，移動摻雜劑或?qū)诫s劑從一個薄膜轉(zhuǎn)移到另一個薄膜或從薄膜進入晶圓襯底。

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     1.退火溫度是否達到規(guī)定溫度。亮光退火爐一般采用固溶熱處理，即所謂的退火，溫度規(guī)模為1040~1120℃（日本標準）。退火區(qū)的不銹鋼管可通過退火爐觀察孔觀察，為白熾狀態(tài)，但無軟化下垂。

     2.退火氣氛。一般以純氫為退火氣氛，氣氛純度在99.99%以上。如果氣氛的另一部分是惰性氣體，純度可以更低，但不能含有太多的氧氣和水蒸氣。

     3.爐體密封。亮退火爐應關(guān)閉，與外部空氣隔離；只有一個排氣口是通過的（用于點燃排放的氫）。檢查方法可用肥皂水擦拭退火爐各接頭間隙，查看是否運行氣體；簡單的運行氣體是退火爐進出管道，當?shù)孛芊馊δp特別簡單，經(jīng)常檢查更換。

     4.維護氣壓。為避免微泄漏，爐內(nèi)維護氣應堅持一定正壓。如果是氫氣維護氣，一般需要20kbar以上。

     5.爐內(nèi)的水蒸氣。一方面，檢查爐體材料是否干燥，第一次安裝，爐體材料必須干燥；另一方面，爐內(nèi)不銹鋼管是否有過多的水漬，特別是如果管上有孔，不要漏水，否則爐氛圍會完全破壞。如果沒有這些問題，不銹鋼管應在開爐后退回約20米后開始發(fā)光，這是一種明亮的反射。